CFan曾在《性能最多相差78倍!揭开存储卡的速度之谜!》解读过存储卡的速度之谜,今天咱们将目光放在同样基于NAND闪存设计的U盘(闪存盘)领域,看看这种存储设备的速度如何区分高下。
我们可以将闪存盘理解为“自带USB接口的存储卡”。
只是,闪存盘的体型相对更大一些,其实际性能全看内置的闪存和主控芯片的规格,对终端设备没有太高要求(只要支持对应的USB3.x Gen1/2标准的接口即可)。
目前闪存盘的主控生产厂商主要以群联(Phison)、慧荣(SMI)、鑫创(SSS)、联阳(ITE)、安国(ALCOR)、银灿(Innostor)为主。
闪存盘领域可要比存储卡复杂多了。从形态上,闪存盘包含Nano迷你型、单接口型、双接口型(同时配备USB-A和USB Type-C);从速度上,闪存盘还存在USB2.0、USB3.0/3.1/3.2 Gen1(5Gbps)和USB3.1/3.2 Gen2(10Gbps)。
Nano迷你型的闪存盘普遍采用了“黑胶体封装”(又称UDP黑胶体和PIP封装技术),所有零部件一次成型,闪存盘内部主体上没有一丝缝隙,也因此获得了不易损坏、可靠性高、防水、防震、防尘、防磁等优点。
不过,这种结构的闪存盘性能普遍一般(速度多在200MB/s以内),最大的优势就是小巧便携不占空间。
但凡事都有例外,三星FIT升级版 虽然也是Nano迷你型,但速度依旧可达400MB/s,应该是三星解决了高性能主控的小型化封装技术,代价则是成本更高。
128GB/256GB版速度才能达到400MB/s,64GB版会降至300MB/s
更高速度的闪存盘普遍采用闪存和主控芯片分离的设计,部分型号可以实现超过400MB/s的读取速度,主要是因为它们内部是由SSD主控芯片 闪存芯片 USB桥接芯片组成,所以还被不少网友誉为“固态闪存盘”(USSD)。以闪迪CZ880为例,这款高端闪存盘就采用了祥硕科技ASMedia ASM1153E SATA3(6Gbps)To USB3.1 Gen1(5Gbps)的转接芯片。
需要注意的是,高端闪存盘未来的发展趋势是摒弃了过去的桥接设计,直接集成更高性能的单主控芯片。比如金士顿DataTraveler Max就内置慧荣SM2320主控,在单芯片(不算闪存)的基础上就支持USB3.2 Gen2标准,实际传输速率可达1000MB/s。
去年初,群联还发布了全球首个和最快的USB3.2 Gen2×2(20Gbps)闪存盘主控(PS2251-18),其连续读取速度高达1900MB/s,连续写入性能也能达到1700MB/s,堪比中端PCIe 3.0 SSD。群联曾表示,PS2251-18主控无需桥接控制器,降低了成本,简化了PCBA设计。与基于桥接的USB外部SSD相比,能效提高了56%。
但是,这种超高速闪存盘也遇到了一些问题——为了解决高速度衍生的发热问题,体积不可能太小,而且价格较之同容量200MB/s级别的闪存盘至少翻了一番。更尴尬的是,目前连标配USB3.2 Gen2接口(10Gbps)的电脑还未普及,很多普通消费者哪怕咬牙购买也会“英雄无用武之地”。
总之,闪存盘是最通用的NAND介质存储产品,主控对其性能影响至关重要,上限极高,下限极低。需要注意的是,很多不知名品牌为了降低成本,会为闪存盘搭配“白片”甚至“黑片”闪存颗粒,对稳定性和寿命的影响很大。所以强烈建议大家优先挑选金士顿、三星、闪迪等一线品牌旗下的产品。
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